大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 S比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁K海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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